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簡(jiǎn)要描述:VLF超低頻高壓發(fā)生器電氣設備的高壓耐壓試驗是《絕緣預防性試驗》規定的Z重要項目之一。耐壓試驗可分為交流耐壓試驗和直流耐壓試驗,交流耐壓試驗又可分為工頻、變頻和0.1Hz超低頻測試技術(shù),其中0.1Hz超低頻技術(shù)是技術(shù),是當前電工委員會(huì )推薦的技術(shù)。
產(chǎn)品型號:
廠(chǎng)商性質(zhì):經(jīng)銷(xiāo)商
更新時(shí)間:2017-06-16
訪(fǎng) 問(wèn) 量:1279VLF超低頻高壓發(fā)生器產(chǎn)品簡(jiǎn)介
VLF超低頻高壓發(fā)生器電氣設備的高壓耐壓試驗是《絕緣預防性試驗》規定的zui重要項目之一。耐壓試驗可分為交流耐壓試驗和直流耐壓試驗,交流耐壓試驗又可分為工頻、變頻和0.1Hz超低頻測試技術(shù),其中0.1Hz超低頻技術(shù)是技術(shù),是當前電工委員會(huì )推薦的技術(shù)。新一代VLF系列微機式0.1Hz超低頻高壓發(fā)生器是本公司自主開(kāi)發(fā)的核心產(chǎn)品,它克服了*代機械式產(chǎn)品的諸多缺點(diǎn),性?xún)r(jià)比遠遠高于同類(lèi)進(jìn)口產(chǎn)品,特別適用于絕緣等值電容較大的電氣設備(例如:電力電纜、電力電容器、大中型發(fā)電機和電動(dòng)機等)耐壓試驗,超低頻高壓發(fā)生器符合2004年國家新頒布電力行業(yè)標準《超低頻高壓發(fā)生器通用技術(shù)條件 DL/T849.4-2004》要求。
HTDP-H超低頻高壓發(fā)生器產(chǎn)品別稱(chēng)
超低頻高壓發(fā)生器、0.1Hz超低頻高壓發(fā)生器、程控超低頻高壓發(fā)生器、超低頻交流高壓試驗裝置、超低頻耐壓試驗裝置
產(chǎn)品特征
1、電流、電壓、波形數據均直接通過(guò)高壓側采樣獲得,所以數據真實(shí)、準確。
2、過(guò)壓保護:當輸出超過(guò)所設定的限壓值時(shí),儀器將停機保護,動(dòng)作時(shí)間小于20毫秒。
3、過(guò)流保護:設計為高低壓雙重保護,高壓側可按設定值進(jìn)行精確停機保護;低壓側的電流超過(guò)額定電流時(shí)將進(jìn)行停機保護,動(dòng)作時(shí)間都小于20毫秒。
4、高壓輸出保護電阻設計在升壓體內,所以外面不需另接保護阻。
5、由于采用了高低壓閉環(huán)負反饋控制電路,所以輸出無(wú)容升效應。
技術(shù)參數
表一:
型號 | 額定電壓 | 帶載能力 | 電源保險管 | 產(chǎn)品重量 |
HTDP-H-30KV | 30kV/20mA | 0.1Hz,≤0.5μF~1.1μF | 5A | 控制器:4㎏ |
0.05Hz,≤0.5μF~2.2μF | ||||
0.02Hz,≤0.5μF~5.5μF | ||||
HTDP-H-50KV | 50kV/30mA | 0.1Hz,≤0.5μF~1.1μF | 7A | 控制器:4㎏ |
0.05Hz,≤0.5μF~2.2μF | ||||
0.02Hz,≤0.5μF~5.5μF | ||||
HTDP-H-60KV | 60kV/30mA | 0.1Hz,≤0.5μF | 9A | 控制器:4㎏ |
0.05Hz,≤0.5μF~1μF | ||||
0.02Hz,≤0.5μF~2.5μF | ||||
HTDP-H-80KV | 80kV/30mA | 0.1Hz,≤0.5μF | 12A | 控制器:4㎏ |
0.05Hz,≤0.5μF~1μF | ||||
0.02Hz,≤0.5μF~2.5μF |
輸出額定電壓 | 參見(jiàn)表1 | |
輸出頻率 | 參見(jiàn)表1 | 0.1Hz,zui大1.1 μf |
0.05 Hz zui大2.2 μf | ||
0.02 Hz zui大5.5 μf | ||
測量精度 | 1% | |
電壓正,負峰值誤差 | ≤3% | |
電壓波形失真度 | ≤5% | |
使用條件 | 戶(hù)內、戶(hù)外 | |
溫度 | -10℃~+40℃ | |
濕度 | ≤85%RH | |
電源 | 交流50 Hz,220V ±5% | |
電源保險管 | 參見(jiàn)表1 | |
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